三星开始量产12nm DDR5 DRAM芯片

全球领先的DRAM半导体存储芯片三星宣布，已开始量产采用16nm技术的5Gb DDR12 DRAM芯片。与上一代芯片相比，新的12nm DRAM芯片更节能。

这家韩国公司的新型12nm DDR5 DRAM芯片的能效提高了23%，并将晶圆生产率提高了20%。将这些芯片用于云服务器和高性能计算的客户可以注意到更高的节能和更少的碳足迹，特别是对于数据中心。三星表示，其新的12nm级DDR5 DRAM生产是通过该公司的High-κ材料实现的，该材料增加了电池电容，这导致数据信号中的电位差显着。这样可以更轻松地准确区分它们。

三星新的12nm DDR5 DRAM芯片提供7.2Gbps的数据传输速度，相当于在一秒钟内处理两部30GB 4K电影。这些新芯片已经在 2022 年 <> 月针对 AMD 的 CPU 进行了评估。该公司将继续与更多的全球IT公司合作，以推动DRAM市场的创新。

三星电子 DRAM 产品与技术执行副总裁 Jooyoung Lee 表示：“三星业界领先的 12 纳米级 DDR5 DRAM 采用差异化工艺技术，可提供出色的性能和能效。我们最新的DRAM反映了我们对引领DRAM市场的持续承诺，不仅提供满足计算市场对大规模处理需求的高性能和高容量产品，而且还通过商业化下一代解决方案来支持更高的生产力。